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關(guān)于“高-k氧化物介質(zhì)在電荷存儲(chǔ)器件中的應(yīng)用研究”講座的通知
發(fā)布時(shí)間: 2014-09-19 瀏覽次數(shù): 840 文章來源: 電子學(xué)科學(xué)與工程學(xué)院、科技處

  題目:高-k氧化物介質(zhì)在電荷存儲(chǔ)器件中的應(yīng)用研究
  報(bào)告人:殷江教授、博士生導(dǎo)師
  報(bào)告人單位:南京大學(xué)現(xiàn)代工程與應(yīng)用科學(xué)學(xué)院
  時(shí)間:9月22日15:00
  地點(diǎn):三牌樓校區(qū)科技樓712
  主辦單位:電子學(xué)科學(xué)與工程學(xué)院、科技處

  報(bào)告人簡介:
  2000年6月于南京大學(xué)物理系獲得理學(xué)博士學(xué)位,2000年9月起先后擔(dān)任日本通商產(chǎn)業(yè)省產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所納米技術(shù)研究中心、日本學(xué)術(shù)振興機(jī)構(gòu)(JSPS)及日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)(JST)研究員。2005年2月任南京大學(xué)凝聚態(tài)物理學(xué)教授及博士生導(dǎo)師,2010年6月任南京大學(xué)現(xiàn)代工程與應(yīng)用科學(xué)學(xué)院材料科學(xué)與工程系教授及博士生導(dǎo)師。
  主要研究方向包括:鐵電薄膜與介電薄膜,固體電解質(zhì)、氧化物及相變存儲(chǔ)材料與存儲(chǔ)器件,氧化物納米晶電荷存儲(chǔ)材料與存儲(chǔ)器件,低維半導(dǎo)體存儲(chǔ)材料與存儲(chǔ)器件。
  發(fā)表SCI論文100余篇,獲得中國發(fā)明專利授權(quán)10余項(xiàng)。目前承擔(dān)國家973計(jì)劃項(xiàng)目課題“無鉛壓電材料高性能化研究”,自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目2項(xiàng)。

仙林校區(qū)地址:南京市仙林大學(xué)城文苑路9號(hào) 郵編:210023 三牌樓校區(qū)地址:南京市新模范馬路66號(hào) 郵編:210003 鎖金村校區(qū)地址:南京市龍?bào)绰?77號(hào) 郵編:210042

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